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Micron, en colaboración con Cadence, han unido sus fuerzas para fabricar el primer módulo de memoria RAM DDR5 @ 4400 MHz. Estos módulos emplean la controladora de memoria PHY desarrollada por Cadence, mientras que Micron suministra sus chips de memoria de 8 Gb fabricados por TSMC a un proceso de fabricación de 7nm.

Todo combinado nos da una memoria RAM DDR5 @ 4400 MHz que promete ser un 37.5% más rápida que el módulo RAM DDR4 más rápido que actualmente esté en el mercado. Esta memoria no solo es más rápida, sino que permitirá aumentar la capacidad.

El estándar DDR5 facilitará la producción de chips de memoria de 16 Gb además de facilitar el apilamiento de la memoria en vertical. Si bien el apilamiento conlleva un problema físico: a medida que más chips se apilan, las distancias entre ellos comienzan a ser más largas, por lo que los parámetros de temporización central empeoran, y una prueba de ello es que esta memoria, en fase de prototipo, tenía unas latencias CAS 42, algo que es una salvajada, aunque el módulo funcionaba a 1.1v, que es algo impresionante respecto a la DDR4.

Cadence espera que la memoria DDR5 @ 4400 MHz sea un estándar, pero más adelante lo normal sería ver módulos DDR5 @ 6400 MHz. Los primeros sistemas basados en la memoria DDR5 llegarán en 2019, pero inicialmente debutarán en servidores. Su adopción seguirá siendo gradual hasta que en 2021 sea bastante normal verla en cualquier equipo.

 

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